Trockenätzer

Trockenätzer: Die gesuchte Anlage soll eine durch Maskierung vorgegebene Struktur in eine dielektrische Schicht, die auf einem Halbleiterwafer deponiert wurde, übertragen. Hier wird als gängiges Verfahren das reaktive Ionenätzen gefordert. Um eine Kontinuität der gegenwärtigen Prozessierung zu gewährleisten, soll das Ätzen mit einer ICP-Anlage und den Gasen CHF3, CF4, H2 und O2 durchgeführt werden. Geätzt werden sollen die Materialien SiNx und SiOx in einem Multiwafer Betrieb 3 x 3“. Die Wafer sollen ohne thermische Ankopplung mit Lackmaske ätzbar sein. Eine Ätzung von einer Wafergröße bis zu 6“ soll gewährleistet werden. Des Weiteren muss die Ätzanlage über ein Endpunktkontrollsystem verfügen.