Reaktive Ionenstrahlätzanlage (RIBE).

Die Integration neuer Materialien und Materialklassen in Form geeigneter Bauteile ist für den Forschungsbereich Neuromorphes Computing zwingend und erfordert Strukturierungsprozesse auf der Nanometer-Skala. Laufende und anstehende Projekte erfordern den Einsatz eines hinsichtlich der Materialauswahl flexiblen und im Hinblick auf die Strukturierung schonenden Ätzverfahrens. Zu den zu ätzenden Materialien in memristiven Zellen zählen neben Übergangsmetalloxiden auch komplexe Oxide wie z. B. SrTiO3, (Pr,Ca)MnO3, und neben reaktiven Metallen auch schwer zu ätzende Edelmetalle wie z. B. Pt. Für die zu bearbeitenden Aufgabenstellungen kommt daher nur eine dedizierte reaktive Ionenstrahlätzanlage (RIBE: reactive ion beam etching) in Frage. Die Ionenstrahlätzanlage der Fa. Oxford erfüllt als einzige alle benötigten Spezifikationen. Die Kompatibilität zu vorhandenen Systemen des gleichen Herstellers ist gegeben.