Plasmabeschichtungsanlage

Die Anwendung beinhaltet das plasmaunterstützte (plasma ion assited deposition – PIAD) Abscheiden (physical vapor deposition – PVD) von glasartigen Schichten und Metallen mit hohen Abscheideraten (einige μm/min) und großen Schichtdicken im Bereich 100 nm bis 100μm in einem Forschungs- und Entwicklungsumfeld.Die physikalische Zerstäubung geschieht durch Verdampfung mittels Elektronenstrahl (e-beam deposition). Bedampft werden vorgefertigte Substrate in einer geeigneten Halterung. Als Substrate gelten u. a. Glas- und Halbleiterwafer, Leiterplatten, Kühlkörper, DCB-Substrate und Halbleiterbauelemente, die in ihrer Form, Größe und Oberflächenbeschaffenheit unterschiedlich sind.