Plasmaätzanlage für Fluorchemie

— Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Plasmaätzanlage für die Übertragung von Mikro- und Nanostrukturen mittels RIE-Verfahren in diverse Materialien aus. — Die anzuschaffende Plasmaätzanlage soll zum Ätzen von Materialien eingesetzt werden, welche sich mit fluorhaltigen Gasen ätzen lassen. — Es sind mit dieser Anlage Strukturübertragungen bis in den tiefen Submikrometerbereich auszuführen und es soll eine Homogenität der Prozesse von ca. 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden. — Die Anlage muss reinraumtauglich konstruiert sein, bevorzugt durch die Wand zu installieren oder alternativ direkt im Reinraum aufstellbar sein. — Die Anlage muss als Parallelplatten-Anlage ausgeführt sein und die Option bieten, vor Ort durch den Tausch der Plasmaquelle eine Umrüstung auf ICP-Plasmaätzprozesse vorzunehmen. Die passende ICP-Plasmaquelle und das dafür erforderliche Zubehör müssen im Lieferumfang enthalten sein. Plasmaätzprozesse sollen mittels Parallelplattenanordnung oder ICP – Plasmaquelle reproduzierbar durchgeführt werden können. — Wertungskriterien: technische Spezifikationen 70 %, Preis 30 %.