Parallel Platten Reaktor

Das Verfahren des „Plasma-Enhanced Chemical Vaporphase Deposition“ (PECVD) zählt zu den etablierten Verfahren der Halbleiter-Prozesstechnologie. Insbesondere wird das Verfahren in der Silizium-Prozesstechnologie an verschiedenen Stellen der Prozesskette eingesetzt. So können z. B. sowohl ultradünne SiliziumOxid/Nitrid/Carbid Schichten als chemische Blocker- oder Seed-Schichten oder als Teil von optischen Mehrlagen-Filtern mit Schichtdicken von wenigen Nanometern abgeschieden werden, als auch dicke elektrische Isolator Schichten im Back-End-Of-Line mit Schichtdicken von einigen 100 Nanometern bis zu wenigen Mikrometern. Vor allem der weite Prozessparameterbereich, sowie die breite Palette von Materialsystemen, die mit diesem Verfahren abgeschieden werden können, macht das Verfahren für eine Vielzahl von Applikationen anwendbar.