Lieferung einer Plasma ALD Anlage.

ALD Anlage werden in der Produktion und in der R&D in der Halbleiterbranche eingesetzt Ausschlaggebende Punkte sind hier die Größe der zu beschichtenden Substrate (6 und 8 Zoll Wafer) sowie Zyklenzeiten, automatische Steuerung und in-line-Integrierung. Plasma-assistierte ALD ermöglicht eine weitere Reduktion der Abscheidetemperatur bis in einen Bereich weiter unter 100 Grad durch die Erzeugung und Nutzung chemischer Radikale als Reaktanzen. Das Ziel der Arbeiten am CHyN ist es die Abscheidetemperaturen soweit wie möglich zu senken.