Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus. Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können. Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD. Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden. — Wertungskriterien: technische Spezifikationen 75 %, Preis 25 %.