Halbautomatisches Kathodenzerstäubungssystem

Die erreichbaren Schichtdicken betragen bis zu 2 μm mit einer Homogenität von ±3 bzw. ±5 %. Das System gestattet zudem eine homogene und präzise Substratemperatur bis 400oC. Durch den integrierten Co-Sputter-Prozess können aus 3 Targets präzise Metalllegierungen und -komposite erzeugt werden. Die Beschichtung kann auf Substraten wie Si, Al2O3, Glas, Saphir, GaAs und Polymerfolien, auf Einzelwafern sowie auf mit Fotolack-strukturierten Substraten erfolgen. Das Handling der Substrate erfolgt dabei automatisch und die Anlage ist für die Beschichtung von funktionalen Materialien wie Pt, Ti, W, Ta, Cr, ITO, Si sowie Si3N4 vorgesehen.