FKF 2024-15 Maskenbelichtungsgerät

Für die zentrale Wissenschaftliche Einrichtung Nanostrukturlabor am Max-Planck-Institut für Festkörperforschung soll für Optische Lithographie ein neues Maskenbelichtungsgerät ('Mask-Aligner') beschafft werden. Dieser muss die folgenden Eigenschaften aufzuweisen:  UV-LEDs als Lichtquelle, wobei zur Belichtung der Wellenlängenbereich (i-, h- und g-Linie) wählbar und frei kombinierbar sein muss. Die Lichtintensität ist konstant zu halten.  Diverse Maskengrößen sind verwendbar: 3", 4", 6".  Die Belichtung von Substraten unterschiedlicher Formate muss möglich sein: von 4mm-auf-4mm Chip bis 6"-Wafer.  Es ist das Ausrichten auf Markierungen auf der Substratober- als auch Substratunterseite möglich.  Es stehen verschiedene Kontaktmodi zur Verfügung: 'Soft'-, 'Hard'-, 'Vacuum'- und 'Proximity'-Kontakt.  Der Keilfehlerausgleich geschieht automatisch. Der Abstand zwischen Maske und Substrat ist ggf. einstellbar.  Eine einfache 'Flood Exposure' muss möglich sein. Für dieses Basisgerät soll die Option der Erweiterung für 'Wafer Bonding' und 'Nano-imprint'-Lithographie bestehen.