Dünnwafercleaner

Die Spezifikation beschreibt eine Anlage zum Reinigen von Wafern mittels Lösungsmitteln. Die Anlage soll in der Lage sein Wafer mit Durchmessern von 200 mm und 300 mm in Standarddicken oder auch in stark gedünnter Form (50 μm oder dünner) reinigen zu können. Die Reinigung soll mittels Puddle und Spin-Off Prozessen unter Verwendung von temperiertem Lösungsmittel (DMSO basiert) erfolgen. Die Wafer müssen dabei auf einem drehbaren Chuck per Vakuumansaugung gehalten werden können wobei die Wafer mittels Sägefolie auf Trägerrahmen aufgespannt sein sollen. Das Lösungsmittel muss über eine temperierbare Zuleitung mit Temperaturen >50 oC auf die Wafer appliziert werden können. Zur Vermeidung einer zu schnellen Abkühlung des Lösungsmittels auf dem Wafer muss der drehbare Vakuumchuck ebenfalls auf Temperaturen >50 oC aktiv erwärmt werden können. Fortsetzung II.2.4) Beschreibung der Beschaffung: